三星在硅谷建立3D DRAM研发实验室

三星电子，星硅全球领先的谷建存储芯片制造商，近日宣布在美国设立新的实验室研究实验室，专注于开发新一代3D DRAM技术。星硅这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的谷建Device Solutions America (DSA)，负责三星在美国的实验室半导体生产。

新一代3D DRAM技术将带来革命性的星硅突破。通过先进的谷建3D堆叠技术，这种DRAM有望实现更高的实验室存储容量和更快的读写速度，从而满足不断增长的星硅数据需求。三星希望通过这项技术引领全球3D存储芯片市场，谷建巩固其市场领先地位。实验室

新实验室的星硅成立标志着三星对3D DRAM技术的重视和投入。这将是谷建一个重要的研发基地，汇聚了业界顶尖的实验室技术专家和工程师，共同致力于新一代3D DRAM的研发工作。

去年10月，三星透露了正在为10纳米以下的DRAM开发新的3D结构。这种结构能够实现更大的单芯片容量，理论上甚至可以超过100千兆位。这一突破性的进展将为未来的存储技术打开新的可能性，为数据中心、云计算和人工智能等领域提供更强大的支持。

三星在美国设立实验室，并专注于新一代3D DRAM技术的开发，展现了其在技术创新和行业领导力方面的决心。随着新一代3D DRAM技术的不断成熟和应用，我们有理由相信，三星将继续引领全球存储芯片市场的发展，为未来的科技产业注入强大的动力。